RU1J002YN 2,700個 ローム 0.9V駆動タイプ Nch MOSFET BOX111

RU1J002YN 2,700個 ローム 0.9V駆動タイプ Nch MOSFET BOX111 收藏

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0.9V駆動タイプ Nch MOSFET - RU1J002YN. 電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・ ...

東芝  2SK2009 ゲート駆動電圧MIN/MAX 0.5V~1.5V
ローム RU1J002YN ゲート駆動電圧MIN/MAX 0.3V~0.8V
と約半分の低電圧でゲートを開閉できる優れものです。


仕入先 Rohm Semiconductor
パッケージング カット テープ(CT)
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 50V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 200mA(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 0.9V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 2.2オーム @ 200mA、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 800mV @ 1mA
Vgs(最大) ±8V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 26pF @ 10V
電力散逸(最大) 150mW(Ta)
動作温度 150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ UMT3F
パッケージ/ケース SC-85

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